Просмотр публикации #1681


Редактор : Некрылова И. М.

Дата создания: 2016-11-14 14:10:05
Дата модификации: 2017-06-27 11:54:59

Наименование :

Авторы :
Фамилия
 Имя
 Отчество
 Вклад

Выходные данные :
Cheremisin, A. B. Bias-illumination stress effect in thin film transistors with a nitrogen low-doped IZO active layer [Text] / A. B. Cheremisin, S. N. Kuznetsov, G. B. Stefanovich // Semicond. Sci. Technol. – 2016. – V. 31, 105011. – P. 1-9.
Атрибуты библиографической записи

Объект библиографического описания


Язык :
Форма работы :
Категория работы :
Вид публикации для ИАИС :
Общее обозначение материала :
Наименование издания :
Год издания :
Номер издания :
Местоположение (номера страниц) :
Количество страниц :
Примечание к форме 16 :
Значимость публикации: прочие системы цитирования :
Значимость публикации: цит. Scopus :



Статус : Проверена

PetrSU | DIMS&PhE | Contact Us | © 2008 Lab127 Team