Просмотр публикации #1679


Редактор : Некрылова И. М.

Дата создания: 2016-11-11 11:21:53
Дата модификации: 2017-06-27 00:01:16

Наименование :

Авторы :
Фамилия
 Имя
 Отчество
 Вклад

Выходные данные :
Stefanovich, G. B. Charge Transfer in Rectifying Oxide Heterostructures and Oxide Access Elements in ReRAM [Text] / G. B. Stefanovich, A. L. Pergament, P. P. Boriskov, V. A. Kuroptev, T. G. Stefanovich // Semiconductors. – 2016. – V. 50, № 5. – P. 639–645.
Атрибуты библиографической записи

Объект библиографического описания


Язык :
Форма работы :
Категория работы :
Вид публикации для ИАИС :
Общее обозначение материала :
Наименование издания :
Год издания :
Номер издания :
Местоположение (номера страниц) :
Количество страниц :
Примечание к форме 16 :
Значимость публикации: список ВАК :
Значимость публикации: прочие системы цитирования :
Значимость публикации: цит. Scopus :



Статус : Проверена

PetrSU | DIMS&PhE | Contact Us | © 2008 Lab127 Team