Просмотр публикации #1540


Редактор : Некрылова И. М.

Дата создания: 2014-12-17 14:05:38
Дата модификации: 2017-06-27 00:16:01

Наименование :

Авторы :
Фамилия
 Имя
 Отчество
 Вклад

Выходные данные :
Berezina, O. Y. Effect of memory electrical switching in metal/vanadium oxide/silicon structures with VO2 films obtained by the sol-gel method [Text] / O. Y. Berezina, A. A. Velichko, A. L. Pergament, V. V. Putrolainen, G. B. Stefanovich // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2014. – 6 p.
Атрибуты библиографической записи

Объект библиографического описания


Язык :
Форма работы :
Категория работы :
Вид публикации для ИАИС :
Общее обозначение материала :
Наименование издания :
Год издания :
Номер издания :
Местоположение (номера страниц) :
Количество страниц :
Примечание к форме 16 :



Статус : Отправлена на проверку

PetrSU | DIMS&PhE | Contact Us | © 2008 Lab127 Team