Просмотр публикации #1511


Редактор : Некрылова И. М.

Дата создания: 2014-12-11 12:42:28
Дата модификации: 2017-06-27 00:13:54

Наименование :

Авторы :
Фамилия
 Имя
 Отчество
 Вклад

Выходные данные :
Belyaev, M. A. The Field Effect and Mott Transistor Based on Vanadium Dioxide [Text] / M. A. Belyaev, A. A. Velichko, P. P. Boriskov [et al.] // Journal on Selected Topics in Nano Electronics and Computing. – 2014. – № 2 (1). – P. 26-30.
Атрибуты библиографической записи

Объект библиографического описания


Язык :
Форма работы :
Категория работы :
Вид публикации для ИАИС :
Общее обозначение материала :
Наименование издания :
Год издания :
Номер издания :
Местоположение (номера страниц) :
Количество страниц :
Примечание к форме 16 :
ISSN :



Статус : Проверена

PetrSU | DIMS&PhE | Contact Us | © 2008 Lab127 Team