Просмотр публикации #1458


Редактор : Некрылова И. М.

Дата создания: 2014-06-20 14:13:22
Дата модификации: 2017-06-27 00:22:53

Наименование :

Авторы :
Фамилия
 Имя
 Отчество
 Вклад

Выходные данные :
Velichko, A. A. Materials Science in Semiconductor Processing. Effect of memory electrical switching in metal/vanadium oxide/silicon structures with VO2 films obtained by the sol–gel method [Text] / A. A. Velichko, A. L. Pergament, V. V. Putrolainen, O. Y. Berezina, G. B. Stefanovich // Materials Science in Semiconductor Processing. – 2014. – DOI: 10.1016/j.mssp.2014.05.042 . – URL: http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S136980011400300X.
Атрибуты библиографической записи

Объект библиографического описания


Язык :
Форма работы :
Категория работы :
Вид публикации для ИАИС :
Общее обозначение материала :
Наименование издания :
Год издания :
Номер издания :
Местоположение (номера страниц) :
Количество страниц :
Примечание к форме 16 :
URL :



Статус : Отправлена на проверку

PetrSU | DIMS&PhE | Contact Us | © 2008 Lab127 Team